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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-263
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	200W
Current - Collector (Ic) (Max)	38A
测试条件	600V，20A，82 欧姆，15V
开关能量	3.1mJ（开），2.4mJ（关）
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	3V @ 15V，20A
25°C 时 Td（开/关）值	-
栅极电荷	70nC
关键词

产品资料

数据列表	IXDA20N120AS
标准包装	800

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  IXYS 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   IXYS 包装 带卷（TR）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-263  IXYS 供应商器件封装 TO-263  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 200W  IXYS Power - Max 200W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 200W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 200W   Current - Collector (Ic) (Max) 38A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 38A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 38A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 38A   测试条件 600V，20A，82 欧姆，15V  IXYS 测试条件 600V，20A，82 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，20A，82 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，20A，82 欧姆，15V   开关能量 3.1mJ（开），2.4mJ（关）  IXYS 开关能量 3.1mJ（开），2.4mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.1mJ（开），2.4mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.1mJ（开），2.4mJ（关）   IGBT 类型 NPT  IXYS IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3V @ 15V，20A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3V @ 15V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3V @ 15V，20A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3V @ 15V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -   栅极电荷 70nC  IXYS 栅极电荷 70nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 70nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 70nC