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产品规格

封装/外壳	TO-3P-3 整包
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247AD（IXDH）
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	250W
Current - Collector (Ic) (Max)	60A
测试条件	300V，35A，10 欧姆，15V
开关能量	1.6mJ（开），800μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	70A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.7V @ 15V，35A
25°C 时 Td（开/关）值	-
栅极电荷	120nC
关键词

产品资料

数据列表	IXD(H,P)35N60B(D1)
标准包装	30

封装/外壳 TO-3P-3 整包  IXYS 封装/外壳 TO-3P-3 整包  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3 整包  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3 整包   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247AD（IXDH）  IXYS 供应商器件封装 TO-247AD（IXDH）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AD（IXDH）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AD（IXDH）   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 250W  IXYS Power - Max 250W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 250W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 250W   Current - Collector (Ic) (Max) 60A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A   测试条件 300V，35A，10 欧姆，15V  IXYS 测试条件 300V，35A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，35A，10 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，35A，10 欧姆，15V   开关能量 1.6mJ（开），800μJ（关）  IXYS 开关能量 1.6mJ（开），800μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.6mJ（开），800μJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.6mJ（开），800μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 70A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 70A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 70A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 70A   IGBT 类型 NPT  IXYS IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，35A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，35A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，35A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，35A   25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -   栅极电荷 120nC  IXYS 栅极电荷 120nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 120nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 120nC