IXFA270N06T3,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXFA270N06T3
IXFA270N06T3 -
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXFA270N06T3
仓库库存编号:
IXFA270N06T3-ND
描述:
60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 270A(Tc) 480W(Tc) TO-263AA
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IXFA270N06T3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
IXYS
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HiperFET?,TrenchT3?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-263AA
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
200nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.1 毫欧 @ 100A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
270A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
12600pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
480W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
IXFx270N06T3
标准包装
1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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型号:
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仓库库存编号:
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IXYS
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型号:
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仓库库存编号:
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无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
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型号:
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别名:FDB075N15ACT
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 270A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 12600pF @ 25V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
功率耗散(最大值) 480W(Tc)
IXYS 功率耗散(最大值) 480W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 480W(Tc)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 480W(Tc)
漏源电压(Vdss) 60V
IXYS 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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