IXFE50N50,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXFE50N50
IXFE50N50 -
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXFE50N50
仓库库存编号:
IXFE50N50-ND
描述:
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 N 沟道 500V 47A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXFE50N50产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
制造商
IXYS
安装类型
底座安装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
HiPerFET??
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-227B
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
330nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
47A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
9400pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 8mA
功率耗散(最大值)
500W(Tc)
漏源电压(Vdss)
500V
关键词
产品资料
数据列表
IXFE(55,50)N50
标准包装
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封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
IXYS 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
制造商 IXYS
IXYS 制造商 IXYS
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS
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安装类型 底座安装
IXYS 安装类型 底座安装
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工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
IXYS 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
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系列 HiPerFET??
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包装 散装
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零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-227B
IXYS 供应商器件封装 SOT-227B
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技术 MOSFET(金属氧化物)
IXYS 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
IXYS Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V
IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 25A,10V
IXYS 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 25A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 25A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc)
IXYS 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 47A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9400pF @ 25V
IXYS 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9400pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9400pF @ 25V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 8mA
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功率耗散(最大值) 500W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 500V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V
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