IXFH170N25X3,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXFH170N25X3
IXFH170N25X3 -
MOSFET N-CH 250V 170A TO247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXFH170N25X3
仓库库存编号:
IXFH170N25X3-ND
描述:
MOSFET N-CH 250V 170A TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 170A(Tc) 960W(Tc) TO-247(IXFH)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXFH170N25X3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HiPerFET??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247(IXFH)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
190nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
7.4 毫欧 @ 85A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
170A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
13500pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 4mA
功率耗散(最大值)
960W(Tc)
漏源电压(Vdss)
250V
关键词
产品资料
数据列表
IXFx170N25X3(HV)
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 1150W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK170N20T
仓库库存编号:
IXFK170N20T-ND
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 240A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 240A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
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仓库库存编号:
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无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 360A(Tc) 1670W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX360N15T2
仓库库存编号:
IXFX360N15T2-ND
无铅
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KEMET
CAP ALUM POLY 82UF 20% 250V T/H
详细描述:Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 150 mOhm 2000 Hrs @ 125°C
型号:
A759SZ826M2EAAE150
仓库库存编号:
399-14163-ND
别名:399-14163
A759SZ826M2EAAE150-ND
EA759SZ826M2EAA
无铅
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制造商 IXYS
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安装类型 通孔
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 4mA
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功率耗散(最大值) 960W(Tc)
IXYS 功率耗散(最大值) 960W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 960W(Tc)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 960W(Tc)
漏源电压(Vdss) 250V
IXYS 漏源电压(Vdss) 250V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 250V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 250V
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