IXFH50N30Q3,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXFH50N30Q3
IXFH50N30Q3 -
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXFH50N30Q3
仓库库存编号:
IXFH50N30Q3-ND
描述:
MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 50A(Tc) 690W(Tc) TO-247AD(IXFH)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXFH50N30Q3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HiPerFET??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247AD(IXFH)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
65nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
80 毫欧 @ 25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3160pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
6.5V @ 4mA
功率耗散(最大值)
690W(Tc)
漏源电压(Vdss)
300V
关键词
产品资料
数据列表
IXFx50N30Q3
标准包装
30
IXFH50N30Q3配套
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Analog Devices Inc.
IC DGTL POT 256POS 100K 16LFCSP
详细描述:Digital Potentiometer 100k Ohm Circuit 256 Taps I2C Interface 16-LFCSP-WQ (3x3)
型号:
AD5142ABCPZ100-RL7
仓库库存编号:
AD5142ABCPZ100-RL7CT-ND
别名:AD5142ABCPZ100-RL7CT
无铅
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Analog Devices Inc.
IC DGTL POT 256POS 100K 16LFCSP
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型号:
AD5142ABCPZ100-RL7
仓库库存编号:
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制造商 IXYS
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 6.5V @ 4mA
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功率耗散(最大值) 690W(Tc)
IXYS 功率耗散(最大值) 690W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 300V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 300V
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