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IXFH80N65X2
IXFH80N65X2 -
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXFH80N65X2
仓库库存编号:
IXFH80N65X2-ND
描述:
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 80A(Tc) 890W(Tc) TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXFH80N65X2产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HiPerFET??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
143nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
40 毫欧 @ 40A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
80A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
8245pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 4mA
功率耗散(最大值)
890W(Tc)
漏源电压(Vdss)
650V
关键词
产品资料
数据列表
IXFx80N65X2 Preliminary
标准包装
30
其它名称
632463
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