IXFK230N20T,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXFK230N20T
IXFK230N20T -
MOSFET N-CH 200V 230A TO-264
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXFK230N20T
仓库库存编号:
IXFK230N20T-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 230A TO-264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 230A(Tc) 1670W(Tc) TO-264AA(IXFK)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IXFK230N20T产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-
系列
GigaMOS??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-264AA(IXFK)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
378nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
7.5 毫欧 @ 60A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
230A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
28000pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 8mA
功率耗散(最大值)
1670W(Tc)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
数据列表
IXFK,X230N20T Datasheet
标准包装
25
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 1150W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK170N20T
仓库库存编号:
IXFK170N20T-ND
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 220A(Tc) 1090W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN230N20T
仓库库存编号:
IXFN230N20T-ND
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 168A(Tc) 900W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N25T
仓库库存编号:
IXFN180N25T-ND
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 240A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 240A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK240N15T2
仓库库存编号:
IXFK240N15T2-ND
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 360A(Tc) 1670W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX360N15T2
仓库库存编号:
IXFX360N15T2-ND
无铅
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封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
IXYS 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
制造商 IXYS
IXYS 制造商 IXYS
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安装类型 通孔
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包装 管件
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 378nC @ 10V
IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 378nC @ 10V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 28000pF @ 25V
IXYS 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 28000pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 28000pF @ 25V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
IXYS 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
功率耗散(最大值) 1670W(Tc)
IXYS 功率耗散(最大值) 1670W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1670W(Tc)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1670W(Tc)
漏源电压(Vdss) 200V
IXYS 漏源电压(Vdss) 200V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
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