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IXFK320N17T2
IXFK320N17T2 -
MOSFET N-CH 170V 320A TO264
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXFK320N17T2
仓库库存编号:
IXFK320N17T2-ND
描述:
MOSFET N-CH 170V 320A TO264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 320A(Tc) 1670W(Tc) TO-264AA(IXFK)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXFK320N17T2产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
GigaMOS??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-264AA(IXFK)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
640nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
5.2 毫欧 @ 60A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
320A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
45000pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 8mA
功率耗散(最大值)
1670W(Tc)
漏源电压(Vdss)
170V
关键词
产品资料
数据列表
IXF(K,X)320N17T2
标准包装
25
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 230A(Tc) 1670W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX230N20T
仓库库存编号:
IXFX230N20T-ND
无铅
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IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
制造商 IXYS
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-264AA(IXFK)
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Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 640nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.2 毫欧 @ 60A,10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 8mA
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功率耗散(最大值) 1670W(Tc)
IXYS 功率耗散(最大值) 1670W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1670W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 170V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 170V
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