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IXFK78N50P3
IXFK78N50P3 -
MOSFET N-CH 500V 78A TO264
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXFK78N50P3
仓库库存编号:
IXFK78N50P3-ND
描述:
MOSFET N-CH 500V 78A TO264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 78A(Tc) 1130W(Tc) TO-264AA(IXFK)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXFK78N50P3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HiPerFET?,Polar3?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-264AA(IXFK)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
147nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
68 毫欧 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
78A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
9900pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 4mA
功率耗散(最大值)
1130W(Tc)
漏源电压(Vdss)
500V
关键词
产品资料
数据列表
IXFK-FX78N50P3
标准包装
25
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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CRYSTAL 12.2880MHZ 10PF SMD
详细描述:12.288MHz ±10ppm 晶体 10pF 70 欧姆 -10°C ~ 60°C 表面贴装 4-SMD,无引线
型号:
ABM3B-12.288MHZ-10-1-U-T
仓库库存编号:
300-8198-1-ND
别名:300-8198-1
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH60N50P3
仓库库存编号:
IXFH60N50P3-ND
别名:625876
无铅
搜索
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封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
IXYS 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
制造商 IXYS
IXYS 制造商 IXYS
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS
安装类型 通孔
IXYS 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 HiPerFET?,Polar3?
IXYS 系列 HiPerFET?,Polar3?
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-264AA(IXFK)
IXYS 供应商器件封装 TO-264AA(IXFK)
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±30V
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IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 147nC @ 10V
IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 147nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 147nC @ 10V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 147nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 68 毫欧 @ 500mA,10V
IXYS 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 68 毫欧 @ 500mA,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 78A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 25V
IXYS 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 25V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9900pF @ 25V
FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 4mA
IXYS 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 4mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 4mA
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 4mA
功率耗散(最大值) 1130W(Tc)
IXYS 功率耗散(最大值) 1130W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1130W(Tc)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1130W(Tc)
漏源电压(Vdss) 500V
IXYS 漏源电压(Vdss) 500V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V
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