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IXFN132N50P3 - 

MOSFET N-CH 500V 112A SOT227

IXYS IXFN132N50P3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
IXFN132N50P3
仓库库存编号：
IXFN132N50P3-ND
描述：
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
底座安装 N 沟道 112A（Tc） 1500W（Tc） SOT-227B
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IXFN132N50P3
库存编号:IXFN132N50P3-ND		 Littelfuse Inc MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B59
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IXFN132N50P3
库存编号:747-IXFN132N50P3		 IXYS Corporation MOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET0
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￥372.87
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IXFN132N50P3
库存编号:2674760		 IXYS Corporation  
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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￥503.24
￥496.28
￥492.37
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IXFN132N50P3
库存编号:IXFN132N50P3		 IXYS Corporation MOSFET Modules 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET0
300起订		300+
￥387.87
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IXFN132N50P3
库存编号:IXFN132N50P3		 IXYS Corporation Module, single transistor, 500V, 112A, SOT227B, screw, Idm: 330A0
1起订		1+
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￥521.01
￥474.12
￥428.53
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IXFN132N50P3
库存编号:8047599		 IXYS Corporation MOSFET 500V 112A Polar3 HiPerFET SOT227B, EA8
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￥499.97
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IXFN132N50P3产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-227-4，miniBLOC  
  制造商  IXYS  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  HiPerFET?，Polar3?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-227B  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  250nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  39 毫欧 @ 66A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  112A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  18600pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 8mA  
  功率耗散（最大值）  1500W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  500V  
关键词         

产品资料
数据列表 IXFN132N50P3
标准包装 10

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型号 制造商 描述 操作
IXFN132N50P3
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET N-CH 500V 112A SOT227

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXFN132N50P3
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MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET

RoHS: Compliant

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IXFN132N50P3
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Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXFN132N50P3
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Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B

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IXFN132N50P3
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Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B

RoHS: Compliant

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IXFN132N50P3
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET MODULE, N-CH, 500V, 112A, SOT-227

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IXFN132N50P3
[更多]		 IXYS Corporation

Single N-Channel 500 V 1500 W 267 nC Chassis Mount Power Mosfet - SOT227

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

IXYS - IXFN132N50P3 - MOSFET N-CH 500V 112A SOT227		IXYS
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 112A（Tc） 1500W（Tc） SOT-227B

型号：IXFN132N50P3
仓库库存编号：IXFN132N50P3-ND

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IXFN132N50P3
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN132N50P3		2674760

IXYS SEMICONDUCTOR

单晶体管 双极, N沟道, 112 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

IXYS - IXFN132N50P3 - IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN132N50P3, 112 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
制造商零件编号：
IXFN132N50P3
品牌：
IXYS
库存编号：
804-7599
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IXFN132N50P3|IxysIXFN132N50P3
Ixys		MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
Rohs

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IXFN132N50P3|IxysIXFN132N50P3
Ixys		MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
Rohs

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IXFN132N50P3|IXYSIXFN132N50P3
IXYS		MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
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