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IXFQ20N50P3 - 

MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

IXYS IXFQ20N50P3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXFQ20N50P3
仓库库存编号:
IXFQ20N50P3-ND
描述:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-3P
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFQ20N50P3产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-3P-3,SC-65-3  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  HiPerFET?,Polar3?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-3P  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  36nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  300 毫欧 @ 10A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  20A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1800pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 1.5mA  
  功率耗散(最大值)  380W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  500V  
关键词         

产品资料
数据列表 IXFx20N50P3
标准包装 30

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封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3  IXYS 封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 HiPerFET?,Polar3?  IXYS 系列 HiPerFET?,Polar3?  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HiPerFET?,Polar3?  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HiPerFET?,Polar3?   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3P  IXYS 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P   技术 MOSFET(金属氧化物)  IXYS 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±30V  IXYS Vgs(最大值) ±30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V  IXYS 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 10A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  IXYS 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V   FET 类型 N 沟道  IXYS FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)  IXYS 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 25V  IXYS 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 25V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 25V   FET 功能 -  IXYS FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1.5mA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1.5mA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1.5mA  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1.5mA   功率耗散(最大值) 380W(Tc)  IXYS 功率耗散(最大值) 380W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 380W(Tc)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 380W(Tc)   漏源电压(Vdss) 500V  IXYS 漏源电压(Vdss) 500V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V  
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