IXFT170N25X3HV,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXFT170N25X3HV
IXFT170N25X3HV -
MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXFT170N25X3HV
仓库库存编号:
IXFT170N25X3HV-ND
描述:
MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 170A(Tc) 960W(Tc) TO-268HV
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IXFT170N25X3HV产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
制造商
IXYS
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HiPerFET??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-268HV
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
190nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
7.4 毫欧 @ 85A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
170A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
13500pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 4mA
功率耗散(最大值)
960W(Tc)
漏源电压(Vdss)
250V
关键词
产品资料
数据列表
IXFx170N25X3(HV)
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IRFP4668PBF-ND
别名:AUXSNFP4668
AUXSNFP4668-ND
SP001572854
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