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产品规格

封装/外壳	TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	HiPerFET??
包装	管件
零件状态	上次购买时间
供应商器件封装	TO-268
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	190nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	160 毫欧 @ 16A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	32A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4925pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 4mA
功率耗散（最大值）	360W（Tc）
漏源电压（Vdss）	500V
关键词

产品资料

标准包装	30

封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  IXYS 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 HiPerFET??  IXYS 系列 HiPerFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HiPerFET??  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HiPerFET??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 上次购买时间  IXYS 零件状态 上次购买时间  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 TO-268  IXYS 供应商器件封装 TO-268  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268   技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  IXYS Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 190nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 16A，10V  IXYS 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 16A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 16A，10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 16A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  IXYS 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  IXYS FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）  IXYS 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4925pF @ 25V  IXYS 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4925pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4925pF @ 25V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4925pF @ 25V   FET 功能 -  IXYS FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 4mA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 4mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 4mA  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 4mA   功率耗散（最大值） 360W（Tc）  IXYS 功率耗散（最大值） 360W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 360W（Tc）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 360W（Tc）   漏源电压（Vdss） 500V  IXYS 漏源电压（Vdss） 500V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 500V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 500V