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IXFT36N50P - 

MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

IXYS IXFT36N50P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
IXFT36N50P
仓库库存编号：
IXFT36N50P-ND
描述：
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-268
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFT36N50P产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  
  制造商  IXYS  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  HiPerFET?，PolarP2?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-268  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  93nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  170 毫欧 @ 500mA，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  36A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  5500pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 4mA  
  功率耗散（最大值）  540W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  500V  
关键词         

产品资料
数据列表 IXF(H,T,V)36N50P/PS
标准包装 30

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IXFT36N50P
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MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

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Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268

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N-Channel 500 V 170 mOhm 93 nC HiPerFET Power Mosfet - TO-268

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IXYS SEMICONDUCTOR		场效应管 MOSFET N TO-268
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IXYS - IXFT36N50P - MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3		IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-268

型号：IXFT36N50P
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IXYS		MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
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