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IXFX64N60P3 - 

MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247

IXYS IXFX64N60P3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
IXFX64N60P3
仓库库存编号：
IXFX64N60P3-ND
描述：
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 64A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFX64N60P3产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  HiPerFET?，Polar3?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PLUS247?-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  145nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  95 毫欧 @ 32A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  64A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  9900pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 4mA  
  功率耗散（最大值）  1130W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 IXFK-FX64N60P3
标准包装 30

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参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IXFX64N60P3
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IXFX64N60P3
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MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

RoHS: Compliant

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IXFX64N60P3|IXYSIXFX64N60P3
IXYS		MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
Rohs

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IXFX64N60P3|IXYSIXFX64N60P3
IXYS		MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
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Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

IXYS - IXFX64N60P3 - IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N60P3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
制造商零件编号：
IXFX64N60P3
品牌：
IXYS
库存编号：
802-4499
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

IXYS - IXFX64N60P3 - MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247		IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1130W（Tc） PLUS247?-3

型号：IXFX64N60P3
仓库库存编号：IXFX64N60P3-ND
 无铅搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669
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