关于我们 | 联系我们

库存查询

• 非库存货

产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	GenX3??
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-263（IXGA）
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	300W
Current - Collector (Ic) (Max)	120A
测试条件	480V，32A，5 欧姆，15V
开关能量	950μJ（开），2.9mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	300A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.35V @ 15V，32A
25°C 时 Td（开/关）值	25ns/334ns
栅极电荷	110nC
关键词

产品资料

数据列表	IXG(A,H,P)48N60A3 GenX3 600V IGBTs Overview
标准包装	50

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  IXYS 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 GenX3??  IXYS 系列 GenX3??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3??  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-263（IXGA）  IXYS 供应商器件封装 TO-263（IXGA）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263（IXGA）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263（IXGA）   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 300W  IXYS Power - Max 300W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W   Current - Collector (Ic) (Max) 120A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 120A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 120A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 120A   测试条件 480V，32A，5 欧姆，15V  IXYS 测试条件 480V，32A，5 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，32A，5 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，32A，5 欧姆，15V   开关能量 950μJ（开），2.9mJ（关）  IXYS 开关能量 950μJ（开），2.9mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 950μJ（开），2.9mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 950μJ（开），2.9mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 300A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 300A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 300A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 300A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.35V @ 15V，32A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.35V @ 15V，32A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.35V @ 15V，32A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.35V @ 15V，32A   25°C 时 Td（开/关）值 25ns/334ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 25ns/334ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 25ns/334ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 25ns/334ns   栅极电荷 110nC  IXYS 栅极电荷 110nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 110nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 110nC