IXGK120N120A3,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IXGK120N120A3
IXGK120N120A3 -
IGBT 1200V 240A 830W TO264
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXGK120N120A3
仓库库存编号:
IXGK120N120A3-ND
描述:
IGBT 1200V 240A 830W TO264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole TO-264 (IXGK)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXGK120N120A3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
GenX3??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-264(IXGK)
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
830W
Current - Collector (Ic) (Max)
240A
测试条件
960V,100A,1 欧姆,15V
开关能量
10mJ(开),33mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
600A
IGBT 类型
PT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.2V @ 15V,100A
25°C 时 Td(开/关)值
40ns/490ns
栅极电荷
420nC
关键词
产品资料
数据列表
IXG(K,X)120N120A3
标准包装
25
其它名称
622019
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD
详细描述:IGBT 1200V 200A 1250W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH82N120C3
仓库库存编号:
IXYH82N120C3-ND
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 240A 1500W TO264
详细描述:IGBT 1200V 240A 1500W Through Hole TO-264 (IXYK)
型号:
IXYK120N120C3
仓库库存编号:
IXYK120N120C3-ND
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 550A 2300W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 550A 2300W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXXX300N60B3
仓库库存编号:
IXXX300N60B3-ND
无铅
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IXYS 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
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IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
制造商 IXYS
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 GenX3??
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包装 管件
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,100A
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25°C 时 Td(开/关)值 40ns/490ns
IXYS 25°C 时 Td(开/关)值 40ns/490ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 40ns/490ns
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栅极电荷 420nC
IXYS 栅极电荷 420nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 420nC
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 420nC
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