IXGK120N120A3,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXGK120N120A3 - 

IGBT 1200V 240A 830W TO264

IXYS IXGK120N120A3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXGK120N120A3
仓库库存编号:
IXGK120N120A3-ND
描述:
IGBT 1200V 240A 830W TO264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole TO-264 (IXGK)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IXGK120N120A3产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-264-3,TO-264AA  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  GenX3??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-264(IXGK)  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  830W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  240A  
  测试条件  960V,100A,1 欧姆,15V  
  开关能量  10mJ(开),33mJ(关)  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  600A  
  IGBT 类型  PT  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.2V @ 15V,100A  
  25°C 时 Td(开/关)值  40ns/490ns  
  栅极电荷  420nC  
关键词         

产品资料
数据列表 IXG(K,X)120N120A3
标准包装 25
其它名称 622019

IXGK120N120A3您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IXGK120N120A3相关搜索

封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA  IXYS 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 GenX3??  IXYS 系列 GenX3??  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 GenX3??  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 GenX3??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-264(IXGK)  IXYS 供应商器件封装 TO-264(IXGK)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264(IXGK)  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264(IXGK)   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 830W  IXYS Power - Max 830W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 830W  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 830W   Current - Collector (Ic) (Max) 240A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 240A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 240A  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 240A   测试条件 960V,100A,1 欧姆,15V  IXYS 测试条件 960V,100A,1 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 960V,100A,1 欧姆,15V  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 960V,100A,1 欧姆,15V   开关能量 10mJ(开),33mJ(关)  IXYS 开关能量 10mJ(开),33mJ(关)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 10mJ(开),33mJ(关)  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 10mJ(开),33mJ(关)   Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 600A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,100A  IXYS 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,100A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,100A  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,100A   25°C 时 Td(开/关)值 40ns/490ns  IXYS 25°C 时 Td(开/关)值 40ns/490ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 40ns/490ns  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 40ns/490ns   栅极电荷 420nC  IXYS 栅极电荷 420nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 420nC  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 420nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号