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产品规格

封装/外壳	ISOPLUS264?
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	GenX3??
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	ISOPLUS264?
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	400W
Current - Collector (Ic) (Max)	150A
测试条件	300V，100A，1 欧姆，15V
开关能量	1.6mJ（开），2.9mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	600A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.5V @ 15V，100A
25°C 时 Td（开/关）值	44ns/310ns
栅极电荷	750nC
关键词

产品资料

数据列表	IXGL200N60B3 GenX3 600V IGBTs Overview
标准包装	25

封装/外壳 ISOPLUS264?  IXYS 封装/外壳 ISOPLUS264?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 ISOPLUS264?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 ISOPLUS264?   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 GenX3??  IXYS 系列 GenX3??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3??  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOPLUS264?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS264?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS264?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS264?   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 400W  IXYS Power - Max 400W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 400W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 400W   Current - Collector (Ic) (Max) 150A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 150A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 150A   测试条件 300V，100A，1 欧姆，15V  IXYS 测试条件 300V，100A，1 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，100A，1 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，100A，1 欧姆，15V   开关能量 1.6mJ（开），2.9mJ（关）  IXYS 开关能量 1.6mJ（开），2.9mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.6mJ（开），2.9mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.6mJ（开），2.9mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 600A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，100A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，100A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.5V @ 15V，100A   25°C 时 Td（开/关）值 44ns/310ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 44ns/310ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 44ns/310ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 44ns/310ns   栅极电荷 750nC  IXYS 栅极电荷 750nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 750nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 750nC