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IXGP30N60B2
IXGP30N60B2 -
IGBT 600V 70A 190W TO220
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXGP30N60B2
仓库库存编号:
IXGP30N60B2-ND
描述:
IGBT 600V 70A 190W TO220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Through Hole TO-220AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXGP30N60B2产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HiPerFAST??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220AB
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
190W
Current - Collector (Ic) (Max)
70A
测试条件
400V,24A,5 欧姆,15V
开关能量
320μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.8V @ 15V,24A
25°C 时 Td(开/关)值
13ns/110ns
栅极电荷
66nC
关键词
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数据列表
IXGP30N60B2
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制造商 IXYS
IXYS 制造商 IXYS
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安装类型 通孔
IXYS 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 HiPerFAST??
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 HiPerFAST??
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包装 管件
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零件状态 在售
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-220AB
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输入类型 标准
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 190W
IXYS Power - Max 190W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 190W
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 190W
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 70A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 70A
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测试条件 400V,24A,5 欧姆,15V
IXYS 测试条件 400V,24A,5 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,24A,5 欧姆,15V
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,24A,5 欧姆,15V
开关能量 320μJ(关)
IXYS 开关能量 320μJ(关)
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IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 320μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
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栅极电荷 66nC
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