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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220AB
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	300W
Current - Collector (Ic) (Max)	90A
测试条件	400V，36A，10 欧姆，15V
开关能量	950μJ（开），840μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	220A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.3V @ 15V，36A
25°C 时 Td（开/关）值	40ns/270ns
栅极电荷	113nC
关键词

产品资料

数据列表	IXGx50N60C4
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 29/Aug/2013
标准包装	50

封装/外壳 TO-220-3  IXYS 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220AB  IXYS 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 300W  IXYS Power - Max 300W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W   Current - Collector (Ic) (Max) 90A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 90A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 90A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 90A   测试条件 400V，36A，10 欧姆，15V  IXYS 测试条件 400V，36A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，36A，10 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，36A，10 欧姆，15V   开关能量 950μJ（开），840μJ（关）  IXYS 开关能量 950μJ（开），840μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 950μJ（开），840μJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 950μJ（开），840μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 220A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 220A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 220A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 220A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，36A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，36A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，36A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，36A   25°C 时 Td（开/关）值 40ns/270ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 40ns/270ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 40ns/270ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 40ns/270ns   栅极电荷 113nC  IXYS 栅极电荷 113nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 113nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 113nC