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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	HiPerFAST??
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220AB
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	54W
Current - Collector (Ic) (Max)	14A
测试条件	480V，7A，22 欧姆，15V
开关能量	70μJ（开），300μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	30A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2V @ 15V，7A
25°C 时 Td（开/关）值	9ns/100ns
栅极电荷	25nC
关键词

产品资料

数据列表	IXG(A,P)7N60B
PCN 过时产品/ EOL	IGBT’s 600V Legacy 08/May/2013
标准包装	50

封装/外壳 TO-220-3  IXYS 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 HiPerFAST??  IXYS 系列 HiPerFAST??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 HiPerFAST??  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 HiPerFAST??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220AB  IXYS 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 54W  IXYS Power - Max 54W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 54W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 54W   Current - Collector (Ic) (Max) 14A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 14A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 14A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 14A   测试条件 480V，7A，22 欧姆，15V  IXYS 测试条件 480V，7A，22 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，7A，22 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，7A，22 欧姆，15V   开关能量 70μJ（开），300μJ（关）  IXYS 开关能量 70μJ（开），300μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 70μJ（开），300μJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 70μJ（开），300μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 30A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 30A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 30A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，7A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，7A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，7A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，7A   25°C 时 Td（开/关）值 9ns/100ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 9ns/100ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 9ns/100ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 9ns/100ns   栅极电荷 25nC  IXYS 栅极电荷 25nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 25nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 25nC