IXGQ180N33TC,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXGQ180N33TC - 

IGBT 330V 180A TO3P

  • 已过时的产品。
IXYS IXGQ180N33TC
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
IXGQ180N33TC
仓库库存编号：
IXGQ180N33TC-ND
描述：
IGBT 330V 180A TO3P
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT 330V 180A Through Hole TO-3P
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IXGQ180N33TC产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-3P-3，SC-65-3  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-3P  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  330V  
  Current - Collector (Ic) (Max)  180A  
  测试条件  -  
  开关能量  -  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  -  
  25°C 时 Td（开/关）值  -  
关键词         

产品资料
PCN 过时产品/ EOL Trench IGBT'S 26/Sept/2012
标准包装 30

IXGQ180N33TC相关搜索

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  IXYS 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  IXYS 工作温度 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-3P  IXYS 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V   Current - Collector (Ic) (Max) 180A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 180A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 180A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 180A   测试条件 -  IXYS 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  IXYS 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） -  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） -   25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号