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产品规格

封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-3P
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	40ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	190W
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
测试条件	960V，20A，10 欧姆，15V
开关能量	2.1mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	100A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	3.4V @ 15V，20A
25°C 时 Td（开/关）值	20ns/270ns
栅极电荷	62nC
关键词

产品资料

数据列表	IXGQ20N120B(D1)
标准包装	30

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  IXYS 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3P  IXYS 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 40ns  IXYS 反向恢复时间（trr） 40ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 40ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 40ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 190W  IXYS Power - Max 190W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 190W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 190W   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   测试条件 960V，20A，10 欧姆，15V  IXYS 测试条件 960V，20A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 960V，20A，10 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 960V，20A，10 欧姆，15V   开关能量 2.1mJ（关）  IXYS 开关能量 2.1mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.1mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.1mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.4V @ 15V，20A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.4V @ 15V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.4V @ 15V，20A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.4V @ 15V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 20ns/270ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/270ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/270ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/270ns   栅极电荷 62nC  IXYS 栅极电荷 62nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 62nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 62nC