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产品规格

封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-3P
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	330V
Power - Max	200W
Current - Collector (Ic) (Max)	90A
测试条件	-
开关能量	-
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.8V @ 15V，45A
25°C 时 Td（开/关）值	-
栅极电荷	69nC
关键词

产品资料

PCN 过时产品/ EOL	Trench IGBT'S 26/Sept/2012
标准包装	30

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  IXYS 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  IXYS 工作温度 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-3P  IXYS 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 330V   Power - Max 200W  IXYS Power - Max 200W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 200W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 200W   Current - Collector (Ic) (Max) 90A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 90A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 90A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 90A   测试条件 -  IXYS 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  IXYS 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 沟道  IXYS IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，45A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，45A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，45A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.8V @ 15V，45A   25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -   栅极电荷 69nC  IXYS 栅极电荷 69nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 69nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 69nC