IXGR48N60C3D1,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IXGR48N60C3D1
IXGR48N60C3D1 -
IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXGR48N60C3D1
仓库库存编号:
IXGR48N60C3D1-ND
描述:
IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT PT 600V 56A 125W Through Hole ISOPLUS247?
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXGR48N60C3D1产品属性
产品规格
封装/外壳
ISOPLUS247?
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
GenX3??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
ISOPLUS247?
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
25ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
125W
Current - Collector (Ic) (Max)
56A
测试条件
400V,30A,3 欧姆,15V
开关能量
410μJ(开),230μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
230A
IGBT 类型
PT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.7V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值
19ns/60ns
栅极电荷
77nC
关键词
产品资料
数据列表
IXGR48N60C3D1
GenX3 600V IGBTs Overview
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
GBJ2510-FDI-ND
别名:GBJ2510-FDI
GBJ2510F
无铅
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Micro Commercial Co
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型号:
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仓库库存编号:
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IXYS
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型号:
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别名:1727-4963-1
568-6257-1
568-6257-1-ND
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IXYS
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详细描述:IGBT PT 600V 550A 2300W Through Hole PLUS247?-3
型号:
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制造商 IXYS
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IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值 19ns/60ns
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栅极电荷 77nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 77nC
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