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产品规格

封装/外壳	TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-268
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	150W
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
测试条件	800V，20A，47 欧姆，15V
开关能量	6.5mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	80A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.5V @ 15V，20A
25°C 时 Td（开/关）值	28ns/400ns
栅极电荷	63nC
关键词

产品资料

数据列表	IXG(H,T)20N120
标准包装	30

封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  IXYS 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-268  IXYS 供应商器件封装 TO-268  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 150W  IXYS Power - Max 150W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 150W   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   测试条件 800V，20A，47 欧姆，15V  IXYS 测试条件 800V，20A，47 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，20A，47 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，20A，47 欧姆，15V   开关能量 6.5mJ（关）  IXYS 开关能量 6.5mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 6.5mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 6.5mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 80A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 80A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 80A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 80A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 28ns/400ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 28ns/400ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 28ns/400ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 28ns/400ns   栅极电荷 63nC  IXYS 栅极电荷 63nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 63nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 63nC