IXGT2N250,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
IXGT2N250
IXGT2N250 -
IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXGT2N250
仓库库存编号:
IXGT2N250-ND
描述:
IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 2500V 5.5A 32W Surface Mount TO-268
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IXGT2N250产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
制造商
IXYS
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-268
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
2500V
Power - Max
32W
Current - Collector (Ic) (Max)
5.5A
测试条件
-
开关能量
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
13.5A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.1V @ 15V,2A
25°C 时 Td(开/关)值
-
栅极电荷
10.5nC
关键词
产品资料
数据列表
IXGx2N250
标准包装
30
IXGT2N250您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
IGBT 3600V 70A TO-268HV
详细描述:IGBT 3600V 70A 430W Surface Mount TO-268
型号:
IXBT20N360HV
仓库库存编号:
IXBT20N360HV-ND
无铅
搜索
IXGT2N250相关搜索
封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
IXYS 封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
制造商 IXYS
IXYS 制造商 IXYS
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS
安装类型 表面贴装
IXYS 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
IXYS 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
IXYS 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
IXYS 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-268
IXYS 供应商器件封装 TO-268
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268
输入类型 标准
IXYS 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V
IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V
Power - Max 32W
IXYS Power - Max 32W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 32W
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 32W
Current - Collector (Ic) (Max) 5.5A
IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 5.5A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5.5A
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 5.5A
测试条件 -
IXYS 测试条件 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 -
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 -
开关能量 -
IXYS 开关能量 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
Current - Collector Pulsed (Icm) 13.5A
IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 13.5A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 13.5A
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 13.5A
IGBT 类型 -
IXYS IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.1V @ 15V,2A
IXYS 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.1V @ 15V,2A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.1V @ 15V,2A
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.1V @ 15V,2A
25°C 时 Td(开/关)值 -
IXYS 25°C 时 Td(开/关)值 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -
栅极电荷 10.5nC
IXYS 栅极电荷 10.5nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 10.5nC
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 10.5nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号