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IXGT32N170 T&R -

IGBT 1700V 75A 350W TO268

IXYS IXGT32N170 T&R

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

制造商：: IXYS IXYS
制造商产品编号：: IXGT32N170 T&R
仓库库存编号：: IXGT32N170CT-ND
描述：: IGBT 1700V 75A 350W TO268
ROHS：: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：: 1（无限）
详细描述：: IGBT NPT 1700V 75A 350W Surface Mount TO-268

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

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IXGT32N170 T&R产品属性

产品规格

封装/外壳	TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-268
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700V
Power - Max	350W
Current - Collector (Ic) (Max)	75A
测试条件	1020V，32A，2.7 欧姆，15V
开关能量	11mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	200A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	3.3V @ 15V，32A
25°C 时 Td（开/关）值	45ns/270ns
栅极电荷	155nC
关键词

产品资料

数据列表	IXG(H,T)32N170
标准包装	1
其它名称	IXGT32N170CT

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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作

IXYS
IGBT 1700V 200A 1040W TO264
详细描述：IGBT 1700V 200A 1040W Through Hole TO-264

型号：IXBK75N170
仓库库存编号：IXBK75N170-ND
无铅
搜索

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封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA IXYS 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 制造商 IXYS IXYS 制造商 IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单制造商 IXYS IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单制造商 IXYS 安装类型表面贴装 IXYS 安装类型表面贴装晶体管 - UGBT，MOSFET - 单安装类型表面贴装 IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单安装类型表面贴装工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）晶体管 - UGBT，MOSFET - 单工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）系列 - IXYS 系列 - 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单系列 - IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单系列 - 包装剪切带（CT） IXYS 包装剪切带（CT）晶体管 - UGBT，MOSFET - 单包装剪切带（CT） IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单包装剪切带（CT）零件状态在售 IXYS 零件状态在售晶体管 - UGBT，MOSFET - 单零件状态在售 IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单零件状态在售供应商器件封装 TO-268 IXYS 供应商器件封装 TO-268 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单供应商器件封装 TO-268 IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单供应商器件封装 TO-268 输入类型标准 IXYS 输入类型标准晶体管 - UGBT，MOSFET - 单输入类型标准 IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单输入类型标准 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V Power - Max 350W IXYS Power - Max 350W 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 350W IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 350W Current - Collector (Ic) (Max) 75A IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 75A 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A 测试条件 1020V，32A，2.7 欧姆，15V IXYS 测试条件 1020V，32A，2.7 欧姆，15V 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单测试条件 1020V，32A，2.7 欧姆，15V IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单测试条件 1020V，32A，2.7 欧姆，15V 开关能量 11mJ（关） IXYS 开关能量 11mJ（关）晶体管 - UGBT，MOSFET - 单开关能量 11mJ（关） IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单开关能量 11mJ（关） Current - Collector Pulsed (Icm) 200A IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 200A 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A IGBT 类型 NPT IXYS IGBT 类型 NPT 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.3V @ 15V，32A IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.3V @ 15V，32A 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.3V @ 15V，32A IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.3V @ 15V，32A 25°C 时 Td（开/关）值 45ns/270ns IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 45ns/270ns 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 45ns/270ns IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 45ns/270ns 栅极电荷 155nC IXYS 栅极电荷 155nC 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单栅极电荷 155nC IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单栅极电荷 155nC

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

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