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产品规格

封装/外壳	PLUS-220SMD
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	PLUS-220SMD
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	2500V
Power - Max	250W
Current - Collector (Ic) (Max)	60A
测试条件	-
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	200A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	5.2V @ 15V，75A
25°C 时 Td（开/关）值	-
栅极电荷	75nC
关键词

产品资料

数据列表	IXGx25N250(S)
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 03/Dec/2012
标准包装	50

封装/外壳 PLUS-220SMD  IXYS 封装/外壳 PLUS-220SMD  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 PLUS-220SMD  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 PLUS-220SMD   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 PLUS-220SMD  IXYS 供应商器件封装 PLUS-220SMD  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS-220SMD  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS-220SMD   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V   Power - Max 250W  IXYS Power - Max 250W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 250W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 250W   Current - Collector (Ic) (Max) 60A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A   测试条件 -  IXYS 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  IXYS 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 200A   IGBT 类型 NPT  IXYS IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5.2V @ 15V，75A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5.2V @ 15V，75A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5.2V @ 15V，75A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5.2V @ 15V，75A   25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -   栅极电荷 75nC  IXYS 栅极电荷 75nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 75nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 75nC