关于我们 | 联系我们

库存查询

• 非库存货

产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	GenX3??
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	PLUS247?-3
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	350ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1400V
Power - Max	300W
Current - Collector (Ic) (Max)	60A
测试条件	960V，28A，5 欧姆，15V
开关能量	3.6mJ（开），3.9mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	150A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	3.6V @ 15V，28A
25°C 时 Td（开/关）值	16ns/190ns
栅极电荷	88nC
关键词

产品资料

标准包装	30

封装/外壳 TO-247-3  IXYS 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  IXYS 工作温度 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 GenX3??  IXYS 系列 GenX3??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3??  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PLUS247?-3  IXYS 供应商器件封装 PLUS247?-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS247?-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS247?-3   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 350ns  IXYS 反向恢复时间（trr） 350ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 350ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 350ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1400V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1400V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1400V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1400V   Power - Max 300W  IXYS Power - Max 300W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W   Current - Collector (Ic) (Max) 60A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A   测试条件 960V，28A，5 欧姆，15V  IXYS 测试条件 960V，28A，5 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 960V，28A，5 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 960V，28A，5 欧姆，15V   开关能量 3.6mJ（开），3.9mJ（关）  IXYS 开关能量 3.6mJ（开），3.9mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.6mJ（开），3.9mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.6mJ（开），3.9mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，28A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，28A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，28A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.6V @ 15V，28A   25°C 时 Td（开/关）值 16ns/190ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 16ns/190ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 16ns/190ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 16ns/190ns   栅极电荷 88nC  IXYS 栅极电荷 88nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 88nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 88nC