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• 零件状态：过时；购买截止日期：05-31-2014。可能有最低购买数量。

产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-247AD（IXSH）
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1000V
Power - Max	300W
Current - Collector (Ic) (Max)	75A
测试条件	800V，45A，2.7 欧姆，15V
开关能量	15mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	180A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.7V @ 15V，45A
25°C 时 Td（开/关）值	80ns/400ns
栅极电荷	165nC
关键词

产品资料

数据列表	IXS(H,M)45N100
PCN 过时产品/ EOL	IGBT's S Class Type 23/Apr/2013
标准包装	30

封装/外壳 TO-247-3  IXYS 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-247AD（IXSH）  IXYS 供应商器件封装 TO-247AD（IXSH）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AD（IXSH）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AD（IXSH）   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V   Power - Max 300W  IXYS Power - Max 300W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W   Current - Collector (Ic) (Max) 75A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 75A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A   测试条件 800V，45A，2.7 欧姆，15V  IXYS 测试条件 800V，45A，2.7 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，45A，2.7 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，45A，2.7 欧姆，15V   开关能量 15mJ（关）  IXYS 开关能量 15mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 15mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 15mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 180A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 180A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 180A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 180A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，45A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，45A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，45A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，45A   25°C 时 Td（开/关）值 80ns/400ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 80ns/400ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 80ns/400ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 80ns/400ns   栅极电荷 165nC  IXYS 栅极电荷 165nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 165nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 165nC