关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。
• 零件状态：过时；购买截止日期：05-31-2014。可能有最低购买数量。

产品规格

封装/外壳	TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-268
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	30ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	250W
Current - Collector (Ic) (Max)	48A
测试条件	400V，24A，5 欧姆，15V
开关能量	550μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	90A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.5V @ 15V，24A
25°C 时 Td（开/关）值	30ns/130ns
栅极电荷	50nC
关键词

产品资料

数据列表	IXS(H,T)30N60B2D1
PCN 过时产品/ EOL	IGBT's S Class Type 23/Apr/2013
标准包装	30

封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  IXYS 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   IXYS 包装 散装   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-268  IXYS 供应商器件封装 TO-268  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 30ns  IXYS 反向恢复时间（trr） 30ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 30ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 30ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 250W  IXYS Power - Max 250W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 250W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 250W   Current - Collector (Ic) (Max) 48A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 48A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 48A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 48A   测试条件 400V，24A，5 欧姆，15V  IXYS 测试条件 400V，24A，5 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，24A，5 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，24A，5 欧姆，15V   开关能量 550μJ（关）  IXYS 开关能量 550μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 550μJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 550μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，24A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，24A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，24A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，24A   25°C 时 Td（开/关）值 30ns/130ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/130ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/130ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/130ns   栅极电荷 50nC  IXYS 栅极电荷 50nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 50nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 50nC