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IXTA4N150HV
IXTA4N150HV -
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXTA4N150HV
仓库库存编号:
IXTA4N150HV-ND
描述:
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
ROHS:
不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 280W(Tc) TO-263
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXTA4N150HV产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
IXYS
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-263
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
44.5nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
6 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1576pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
280W(Tc)
漏源电压(Vdss)
1500V
关键词
产品资料
数据列表
IXT(A,T)4N150HV
标准包装
50
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制造商 IXYS
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-263
IXYS 供应商器件封装 TO-263
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±30V
IXYS Vgs(最大值) ±30V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44.5nC @ 10V
IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44.5nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44.5nC @ 10V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44.5nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 欧姆 @ 500mA,10V
IXYS 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 欧姆 @ 500mA,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 欧姆 @ 500mA,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
IXYS 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1576pF @ 25V
IXYS 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1576pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1576pF @ 25V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1576pF @ 25V
FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
IXYS 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 280W(Tc)
IXYS 功率耗散(最大值) 280W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 280W(Tc)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 280W(Tc)
漏源电压(Vdss) 1500V
IXYS 漏源电压(Vdss) 1500V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1500V
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