IXTH02N450HV,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXTH02N450HV - 

MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV

IXYS IXTH02N450HV
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
IXTH02N450HV
仓库库存编号：
IXTH02N450HV-ND
描述：
MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV
ROHS：
不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-247HV
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IXTH02N450HV产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3 变式  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247HV  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  10.6nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  625 欧姆 @ 10mA，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  200mA（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  246pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  6.5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  113W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  4500V  
关键词         

产品资料
数据列表 IX(T,H)02N450HV
标准包装 30

IXTH02N450HV您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IXTH02N450HV相关搜索

封装/外壳 TO-247-3 变式  IXYS 封装/外壳 TO-247-3 变式  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3 变式  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3 变式   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247HV  IXYS 供应商器件封装 TO-247HV  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247HV  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247HV   技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  IXYS Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 625 欧姆 @ 10mA，10V  IXYS 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 625 欧姆 @ 10mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 625 欧姆 @ 10mA，10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 625 欧姆 @ 10mA，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  IXYS 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  IXYS FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）  IXYS 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 246pF @ 25V  IXYS 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 246pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 246pF @ 25V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 246pF @ 25V   FET 功能 -  IXYS FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 6.5V @ 250μA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 6.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 6.5V @ 250μA  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 6.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 113W（Tc）  IXYS 功率耗散（最大值） 113W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 113W（Tc）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 113W（Tc）   漏源电压（Vdss） 4500V  IXYS 漏源电压（Vdss） 4500V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 4500V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 4500V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号