IXTL2X180N10T,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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IXTL2X180N10T - 

MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK

  • 非库存货
IXYS IXTL2X180N10T
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
IXTL2X180N10T
仓库库存编号：
IXTL2X180N10T-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 100A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXTL2X180N10T产品属性


产品规格
  封装/外壳  ISOPLUSi5-Pak?  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  Trench??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  ISOPLUSi5-Pak?  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  151nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  7.4 毫欧 @ 50A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  100A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  6900pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4.5V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  100V  
  功率 - 最大值  150W  
关键词         

产品资料
数据列表 IXTL2X180N10T
标准包装 25

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