IXTN102N65X2,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
IXTN102N65X2
IXTN102N65X2 -
MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXTN102N65X2
仓库库存编号:
IXTN102N65X2-ND
描述:
MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 N 沟道 76A(Tc) 595AW(Tc) SOT-227
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IXTN102N65X2产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
制造商
IXYS
安装类型
底座安装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-227
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
152nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
30 毫欧 @ 51A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
76A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
10900pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
595AW(Tc)
漏源电压(Vdss)
650V
关键词
产品资料
数据列表
IXTN102N65X2
标准包装
50
IXTN102N65X2相关搜索
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
IXYS 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
制造商 IXYS
IXYS 制造商 IXYS
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS
安装类型 底座安装
IXYS 安装类型 底座安装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 底座安装
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 底座安装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
IXYS 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
IXYS 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
IXYS 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-227
IXYS 供应商器件封装 SOT-227
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-227
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-227
技术 MOSFET(金属氧化物)
IXYS 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±30V
IXYS Vgs(最大值) ±30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V
IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 152nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 51A,10V
IXYS 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 51A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 51A,10V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 30 毫欧 @ 51A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
IXYS 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
IXYS FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 76A(Tc)
IXYS 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 76A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 76A(Tc)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 76A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10900pF @ 25V
IXYS 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10900pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10900pF @ 25V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 10900pF @ 25V
FET 功能 -
IXYS FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
IXYS 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 595AW(Tc)
IXYS 功率耗散(最大值) 595AW(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 595AW(Tc)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 595AW(Tc)
漏源电压(Vdss) 650V
IXYS 漏源电压(Vdss) 650V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 650V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 650V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号