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产品规格

封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC
制造商	IXYS
安装类型	底座安装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-227B
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	155nC @ 15V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	900 毫欧 @ 8.5A，20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	20V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	15A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8300pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	540W（Tc）
漏源电压（Vdss）	1200V
关键词

产品资料

数据列表	IXTN17N120L
标准包装	10

封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  IXYS 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 底座安装  IXYS 安装类型 底座安装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 底座安装  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 底座安装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-227B  IXYS 供应商器件封装 SOT-227B  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-227B  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-227B   技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±30V  IXYS Vgs（最大值） ±30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 15V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 15V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 155nC @ 15V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 8.5A，20V  IXYS 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 8.5A，20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 8.5A，20V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 8.5A，20V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V  IXYS 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V   FET 类型 N 沟道  IXYS FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Tc）  IXYS 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Tc）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8300pF @ 25V  IXYS 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8300pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8300pF @ 25V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8300pF @ 25V   FET 功能 -  IXYS FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 540W（Tc）  IXYS 功率耗散（最大值） 540W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 540W（Tc）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 540W（Tc）   漏源电压（Vdss） 1200V  IXYS 漏源电压（Vdss） 1200V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 1200V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 1200V