IXTN36N50,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXTN36N50 - 

MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227

  • 非库存货
IXYS IXTN36N50
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXTN36N50
仓库库存编号:
IXTN36N50-ND
描述:
MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 N 沟道 500V 36A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IXTN36N50产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-227-4,miniBLOC  
  制造商  IXYS  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-227B  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  -  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  36A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 20mA  
  功率耗散(最大值)  400W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  500V  
关键词         

产品资料
标准包装 10

IXTN36N50相关搜索

封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC  IXYS 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 底座安装  IXYS 安装类型 底座安装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 底座安装  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 底座安装   工作温度 -  IXYS 工作温度 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-227B  IXYS 供应商器件封装 SOT-227B  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-227B  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-227B   技术 MOSFET(金属氧化物)  IXYS 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -  IXYS 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) -   FET 类型 N 沟道  IXYS FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc)  IXYS 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  IXYS 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -   FET 功能 -  IXYS FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20mA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20mA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20mA  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20mA   功率耗散(最大值) 400W(Tc)  IXYS 功率耗散(最大值) 400W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 400W(Tc)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 400W(Tc)   漏源电压(Vdss) 500V  IXYS 漏源电压(Vdss) 500V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号