IXTX40P50P,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXTX40P50P
IXTX40P50P -
MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXTX40P50P
仓库库存编号:
IXTX40P50P-ND
描述:
MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 P 沟道 40A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXTX40P50P产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PolarP??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PLUS247?-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
205nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
230 毫欧 @ 20A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
11500pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
890W(Tc)
漏源电压(Vdss)
500V
关键词
产品资料
数据列表
IXT(K,X)40P50P
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
MOSFET P-CH 500V 40A TO-264
详细描述:通孔 P 沟道 40A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
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仓库库存编号:
IXTK40P50P-ND
无铅
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IXYS
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详细描述:通孔 P 沟道 32A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:
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仓库库存编号:
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别名:5-146280-2-ND
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型号:
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别名:WM6698CT
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STMicroelectronics
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详细描述:通孔 N 沟道 138A(Tc) 625W(Tc) MAX247?
型号:
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仓库库存编号:
497-13638-5-ND
别名:497-13638-5
无铅
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封装/外壳 TO-247-3
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制造商 IXYS
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 890W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V
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