IXXH80N65B4H1,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IXXH80N65B4H1
IXXH80N65B4H1 -
IGBT 650V 160A 625W TO247AD
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXXH80N65B4H1
仓库库存编号:
IXXH80N65B4H1-ND
描述:
IGBT 650V 160A 625W TO247AD
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT PT 650V 160A 625W Through Hole TO-247 (IXXH)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXXH80N65B4H1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
GenX4?,XPT?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247(IXXH)
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
150ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
625W
Current - Collector (Ic) (Max)
160A
测试条件
400V,80A,3 欧姆,15V
开关能量
3.77mJ(开),1.2mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
430A
IGBT 类型
PT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2V @ 15V,80A
25°C 时 Td(开/关)值
38ns/120ns
栅极电荷
120nC
关键词
产品资料
数据列表
IXXH80N65B4H1
标准包装
30
其它名称
629411
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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别名:APT25GT120BRGMI
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制造商 IXYS
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2V @ 15V,80A
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2V @ 15V,80A
25°C 时 Td(开/关)值 38ns/120ns
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 38ns/120ns
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 38ns/120ns
栅极电荷 120nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 120nC
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 120nC
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