IXXK110N65B4H1,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IXXK110N65B4H1
IXXK110N65B4H1 -
IGBT 650V 240A 880W TO264
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXXK110N65B4H1
仓库库存编号:
IXXK110N65B4H1-ND
描述:
IGBT 650V 240A 880W TO264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT PT 650V 240A 880W Through Hole TO-264 (IXXK)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXXK110N65B4H1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
GenX4?,XPT?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-264(IXXK)
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
100ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
880W
Current - Collector (Ic) (Max)
240A
测试条件
400V,55A,2 欧姆,15V
开关能量
2.2mJ(开),1.05mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
630A
IGBT 类型
PT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.1V @ 15V,110A
25°C 时 Td(开/关)值
38ns/156ns
栅极电荷
183nC
关键词
产品资料
数据列表
IXX(K,X)110N65B4H1
标准包装
25
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
IGBT 650V 310A 940W TO264
详细描述:IGBT PT 650V 310A 940W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号:
IXXK160N65B4
仓库库存编号:
IXXK160N65B4-ND
无铅
搜索
IXYS
IGBT 650V 370A 1150W TO264
详细描述:IGBT PT 650V 370A 1150W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号:
IXXK200N65B4
仓库库存编号:
IXXK200N65B4-ND
无铅
搜索
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IXYS 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
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IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
制造商 IXYS
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 GenX4?,XPT?
IXYS 系列 GenX4?,XPT?
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 GenX4?,XPT?
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-264(IXXK)
IXYS 供应商器件封装 TO-264(IXXK)
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输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 100ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
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Power - Max 880W
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测试条件 400V,55A,2 欧姆,15V
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开关能量 2.2mJ(开),1.05mJ(关)
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,110A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,110A
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25°C 时 Td(开/关)值 38ns/156ns
IXYS 25°C 时 Td(开/关)值 38ns/156ns
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IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 38ns/156ns
栅极电荷 183nC
IXYS 栅极电荷 183nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 183nC
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 183nC
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