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产品规格

封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC
制造商	IXYS
安装类型	底座安装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	GenX3?，XPT?
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-227B
输入	标准
配置	单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	780W
电流 - 集电极截止（最大值）	50μA
Current - Collector (Ic) (Max)	200A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.7V @ 15V，100A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	9.97nF @ 25V
关键词

产品资料

数据列表	IXXN200N60B3H1
标准包装	10

封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  IXYS 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 IXYS   安装类型 底座安装  IXYS 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 GenX3?，XPT?  IXYS 系列 GenX3?，XPT?  晶体管 - IGBT - 模块 系列 GenX3?，XPT?  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 系列 GenX3?，XPT?   零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-227B  IXYS 供应商器件封装 SOT-227B  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227B  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227B   输入 标准  IXYS 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 单一  IXYS 配置 单一  晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 780W  IXYS Power - Max 780W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 780W  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 780W   电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  IXYS 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 50μA   Current - Collector (Ic) (Max) 200A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 200A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 200A  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 200A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，100A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，100A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，100A  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.7V @ 15V，100A   NTC 热敏电阻 无  IXYS NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 9.97nF @ 25V  IXYS 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 9.97nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 9.97nF @ 25V  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 9.97nF @ 25V