IXXX110N65B4H1,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
IXXX110N65B4H1
IXXX110N65B4H1 -
IGBT 650V 240A 880W PLUS247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXXX110N65B4H1
仓库库存编号:
IXXX110N65B4H1-ND
描述:
IGBT 650V 240A 880W PLUS247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT PT 650V 240A 880W Through Hole PLUS247?-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IXXX110N65B4H1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
GenX4?,XPT?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PLUS247?-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
100ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
880W
Current - Collector (Ic) (Max)
240A
测试条件
400V,55A,2 欧姆,15V
开关能量
2.2mJ(开),1.05mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
630A
IGBT 类型
PT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.1V @ 15V,110A
25°C 时 Td(开/关)值
38ns/156ns
栅极电荷
183nC
关键词
产品资料
数据列表
IXX(K,X)110N65B4H1
标准包装
30
IXXX110N65B4H1您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Wurth Electronics Inc.
TERM PWR ELEMENT M4 12 PIN PCB
详细描述:Pin Screw Terminal, Power Tap M4 Through Hole
型号:
7461086
仓库库存编号:
732-3207-ND
别名:732-3207
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 550A 2300W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 550A 2300W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXXX300N60B3
仓库库存编号:
IXXX300N60B3-ND
无铅
搜索
IXXX110N65B4H1相关搜索
封装/外壳 TO-247-3
IXYS 封装/外壳 TO-247-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
制造商 IXYS
IXYS 制造商 IXYS
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS
安装类型 通孔
IXYS 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 GenX4?,XPT?
IXYS 系列 GenX4?,XPT?
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 GenX4?,XPT?
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 GenX4?,XPT?
包装 管件
IXYS 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
IXYS 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 PLUS247?-3
IXYS 供应商器件封装 PLUS247?-3
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS247?-3
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS247?-3
输入类型 标准
IXYS 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 100ns
IXYS 反向恢复时间(trr) 100ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 100ns
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 100ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Power - Max 880W
IXYS Power - Max 880W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 880W
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 880W
Current - Collector (Ic) (Max) 240A
IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 240A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 240A
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 240A
测试条件 400V,55A,2 欧姆,15V
IXYS 测试条件 400V,55A,2 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,55A,2 欧姆,15V
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,55A,2 欧姆,15V
开关能量 2.2mJ(开),1.05mJ(关)
IXYS 开关能量 2.2mJ(开),1.05mJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 2.2mJ(开),1.05mJ(关)
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 2.2mJ(开),1.05mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 630A
IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 630A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 630A
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 630A
IGBT 类型 PT
IXYS IGBT 类型 PT
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 PT
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 PT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,110A
IXYS 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,110A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,110A
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,110A
25°C 时 Td(开/关)值 38ns/156ns
IXYS 25°C 时 Td(开/关)值 38ns/156ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 38ns/156ns
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 38ns/156ns
栅极电荷 183nC
IXYS 栅极电荷 183nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 183nC
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 183nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号