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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	GenX4?，XPT?
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	PLUS247?-3
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Power - Max	940W
Current - Collector (Ic) (Max)	290A
测试条件	400V，80A，1 欧姆，15V
开关能量	3.5mJ（开），1.3mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	800A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，160A
25°C 时 Td（开/关）值	52ns/197ns
栅极电荷	422nC
关键词

产品资料

数据列表	IXX(K,X)160N65C4
标准包装	30

封装/外壳 TO-247-3  IXYS 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 GenX4?，XPT?  IXYS 系列 GenX4?，XPT?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX4?，XPT?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX4?，XPT?   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PLUS247?-3  IXYS 供应商器件封装 PLUS247?-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS247?-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS247?-3   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 940W  IXYS Power - Max 940W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 940W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 940W   Current - Collector (Ic) (Max) 290A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 290A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 290A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 290A   测试条件 400V，80A，1 欧姆，15V  IXYS 测试条件 400V，80A，1 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，80A，1 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，80A，1 欧姆，15V   开关能量 3.5mJ（开），1.3mJ（关）  IXYS 开关能量 3.5mJ（开），1.3mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.5mJ（开），1.3mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.5mJ（开），1.3mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 800A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 800A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 800A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 800A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，160A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，160A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，160A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，160A   25°C 时 Td（开/关）值 52ns/197ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 52ns/197ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 52ns/197ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 52ns/197ns   栅极电荷 422nC  IXYS 栅极电荷 422nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 422nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 422nC