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IXXX200N60C3
IXXX200N60C3 -
IGBT 600V 200A PLUS247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXXX200N60C3
仓库库存编号:
IXXX200N60C3-ND
描述:
IGBT 600V 200A PLUS247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT PT 600V 340A Through Hole PLUS247?-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXXX200N60C3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
XPT??,GenX3??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
PLUS247?-3
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Current - Collector (Ic) (Max)
340A
测试条件
360V,100A,1 欧姆,15V
开关能量
3mJ(开),1.7mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
900A
IGBT 类型
PT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.1V @ 15V,100A
25°C 时 Td(开/关)值
47ns/125ns
栅极电荷
315nC
关键词
产品资料
数据列表
IXX(K,X)200N60C3
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
IGBT 600V 550A 2300W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 550A 2300W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXXX300N60B3
仓库库存编号:
IXXX300N60B3-ND
无铅
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制造商 IXYS
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安装类型 通孔
IXYS 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 XPT??,GenX3??
IXYS 系列 XPT??,GenX3??
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包装 管件
IXYS 包装 管件
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零件状态 在售
IXYS 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 PLUS247?-3
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输入类型 标准
IXYS 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Current - Collector (Ic) (Max) 340A
IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 340A
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测试条件 360V,100A,1 欧姆,15V
IXYS 测试条件 360V,100A,1 欧姆,15V
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开关能量 3mJ(开),1.7mJ(关)
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Current - Collector Pulsed (Icm) 900A
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25°C 时 Td(开/关)值 47ns/125ns
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栅极电荷 315nC
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