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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	XPT?
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247AD
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	16ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	2500V
Power - Max	310W
Current - Collector (Ic) (Max)	28A
测试条件	1250V，12A，10 欧姆，15V
开关能量	3.56mJ（开），1.7mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	80A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	4.5V @ 15V，12A
25°C 时 Td（开/关）值	12ns/167ns
栅极电荷	56nC
关键词

产品资料

数据列表	IXYH12N250C Datasheet XPT? IGBT 1700V/2500V Prod Brief
标准包装	30

封装/外壳 TO-247-3  IXYS 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 XPT?  IXYS 系列 XPT?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 XPT?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 XPT?   零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247AD  IXYS 供应商器件封装 TO-247AD  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AD  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AD   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 16ns  IXYS 反向恢复时间（trr） 16ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 16ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 16ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V   Power - Max 310W  IXYS Power - Max 310W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 310W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 310W   Current - Collector (Ic) (Max) 28A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 28A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 28A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 28A   测试条件 1250V，12A，10 欧姆，15V  IXYS 测试条件 1250V，12A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 1250V，12A，10 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 1250V，12A，10 欧姆，15V   开关能量 3.56mJ（开），1.7mJ（关）  IXYS 开关能量 3.56mJ（开），1.7mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.56mJ（开），1.7mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 3.56mJ（开），1.7mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 80A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 80A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 80A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 80A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 4.5V @ 15V，12A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 4.5V @ 15V，12A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 4.5V @ 15V，12A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 4.5V @ 15V，12A   25°C 时 Td（开/关）值 12ns/167ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 12ns/167ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 12ns/167ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 12ns/167ns   栅极电荷 56nC  IXYS 栅极电荷 56nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 56nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 56nC