IXYH30N170C,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXYH30N170C - 

1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB

IXYS IXYH30N170C
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
IXYH30N170C
仓库库存编号：
IXYH30N170C-ND
描述：
1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT 1700V 108A 937W Through Hole TO-247AD
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IXYH30N170C产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  XPT?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247AD  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1700V  
  Power - Max  937W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  108A  
  测试条件  850V，30A，10 欧姆，15V  
  开关能量  5.9mJ（开），3.3mJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  255A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  3.7V @ 15V，30A  
  25°C 时 Td（开/关）值  28ns/150ns  
  栅极电荷  140nC  
关键词         

产品资料
数据列表 IXYH30N170C Preliminary Datasheet
标准包装 30

IXYH30N170C您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IXYH30N170C相关搜索

封装/外壳 TO-247-3  IXYS 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 XPT?  IXYS 系列 XPT?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 XPT?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 XPT?   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247AD  IXYS 供应商器件封装 TO-247AD  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AD  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AD   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V   Power - Max 937W  IXYS Power - Max 937W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 937W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 937W   Current - Collector (Ic) (Max) 108A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 108A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 108A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 108A   测试条件 850V，30A，10 欧姆，15V  IXYS 测试条件 850V，30A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 850V，30A，10 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 850V，30A，10 欧姆，15V   开关能量 5.9mJ（开），3.3mJ（关）  IXYS 开关能量 5.9mJ（开），3.3mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 5.9mJ（开），3.3mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 5.9mJ（开），3.3mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 255A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 255A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 255A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 255A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.7V @ 15V，30A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.7V @ 15V，30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.7V @ 15V，30A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.7V @ 15V，30A   25°C 时 Td（开/关）值 28ns/150ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 28ns/150ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 28ns/150ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 28ns/150ns   栅极电荷 140nC  IXYS 栅极电荷 140nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 140nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 140nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号