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IXYJ20N120C3D1
IXYJ20N120C3D1 -
IGBT 1200V 21A 105W TO247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXYJ20N120C3D1
仓库库存编号:
IXYJ20N120C3D1-ND
描述:
IGBT 1200V 21A 105W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 1200V 21A 105W Through Hole ISO247?
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXYJ20N120C3D1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
GenX3?,XPT?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
ISO247?
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
195ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
105W
Current - Collector (Ic) (Max)
21A
测试条件
600V,20A,10 欧姆,15V
开关能量
1.3mJ(开),500μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
84A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.4V @ 15V,20A
25°C 时 Td(开/关)值
20ns/90ns
栅极电荷
53nC
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数据列表
IXYJ20N120C3D1
标准包装
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制造商 IXYS
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 GenX3?,XPT?
IXYS 系列 GenX3?,XPT?
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 GenX3?,XPT?
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 ISO247?
IXYS 供应商器件封装 ISO247?
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 ISO247?
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输入类型 标准
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 195ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
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Power - Max 105W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 105W
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Current - Collector (Ic) (Max) 21A
IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 21A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 21A
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测试条件 600V,20A,10 欧姆,15V
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开关能量 1.3mJ(开),500μJ(关)
IXYS 开关能量 1.3mJ(开),500μJ(关)
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Current - Collector Pulsed (Icm) 84A
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25°C 时 Td(开/关)值 20ns/90ns
IXYS 25°C 时 Td(开/关)值 20ns/90ns
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栅极电荷 53nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 53nC
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