IXYK120N120C3,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IXYK120N120C3
IXYK120N120C3 -
IGBT 1200V 240A 1500W TO264
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXYK120N120C3
仓库库存编号:
IXYK120N120C3-ND
描述:
IGBT 1200V 240A 1500W TO264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 1200V 240A 1500W Through Hole TO-264 (IXYK)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXYK120N120C3产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
IXYS
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
GenX3?,XPT?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-264(IXYK)
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
1500W
Current - Collector (Ic) (Max)
240A
测试条件
600V,100A,1 欧姆,15V
开关能量
6.75mJ(开),5.1mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
700A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.2V @ 15V,120A
25°C 时 Td(开/关)值
35ns/176ns
栅极电荷
412nC
关键词
产品资料
数据列表
IXYx120N120C3
标准包装
25
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
IXYS
IGBT 1200V 240A 830W TO264
详细描述:IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK120N120A3
仓库库存编号:
IXGK120N120A3-ND
别名:622019
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD
详细描述:IGBT 1200V 200A 1250W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH82N120C3
仓库库存编号:
IXYH82N120C3-ND
无铅
搜索
IXYS
IGBT 650V 234A 880W TO247AD
详细描述:IGBT PT 650V 234A 880W Through Hole TO-247 (IXXH)
型号:
IXXH110N65C4
仓库库存编号:
IXXH110N65C4-ND
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 100A 535W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 100A 535W Through Hole TO-247
型号:
NGTB50N120FL2WG
仓库库存编号:
NGTB50N120FL2WGOS-ND
别名:NGTB50N120FL2WGOS
无铅
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IXYS 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
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IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
制造商 IXYS
IXYS 制造商 IXYS
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 GenX3?,XPT?
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IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.2V @ 15V,120A
25°C 时 Td(开/关)值 35ns/176ns
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IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 35ns/176ns
栅极电荷 412nC
IXYS 栅极电荷 412nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 412nC
IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 412nC
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